2699元起ROGTHOR雷神III1200/1000W电源上架:引入GaN氮化镓
快科技11月15日消息,ROG THOR雷神III 1200/1000W电源目前已经上市,首发2699元。据悉,新款电源支持最新的ATX 3.0/3.1规格,通过了80 PLUS白金认证,采用全模组线材设计,基础配置上延续了前代产品的设计,支持AURA SYNC神光同步,功耗仪以及RGB角灯等设计也
快科技11月15日消息,ROG THOR雷神III 1200/1000W电源目前已经上市,首发2699元。据悉,新款电源支持最新的ATX 3.0/3.1规格,通过了80 PLUS白金认证,采用全模组线材设计,基础配置上延续了前代产品的设计,支持AURA SYNC神光同步,功耗仪以及RGB角灯等设计也
英国多孔氮化镓 (GaN) 半导体材料技术研发商Porotech已于上月完成种子轮融资,本轮融资金额300万英镑,由专注于科技领域早期项目投资的Speedinvest领投,
ZAO 2023中关村在线年度观察项目推选年度优质科技产品,授予“ZOL推荐”产品称号,表彰2023年度优秀科技产品,治好你的选择困难症。2023ZOL年度推荐产品:倍思 Digital GaN 氮化镓数字电源智能桌面快充充电器 240W获奖理由:倍思 DigitalGaN 氮化镓数字电源智能桌面快
财联社3月26日讯(编辑 宣林)欧洲芯片制造商英飞凌近期官宣以8.3亿美元现金(57亿人民币)收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems,并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。该
随着第四次全球工业革命推动电子及AI(人工智能)驱动应用的快速增长,各行业对更高效、更经济的电力供应设备的需求正在上升。传统硅半导体器件因其固有限制而无法满足该等应用的需求。 作为最新一代半导体材料,氮化镓半导体器件近年来已广泛应用于各行各业,有望在功率半导体行业的持续变革中发挥关键作用。而AI的
日本一研究团队近日宣布,他们利用半导体材料氮化镓(GaN)研发的逆变器,已首次成功应用在电动汽车上,有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。
GAN导 读在一些电力电子应用中,宽带隙材料已开始取代硅。目前,氮化镓(GaN)可能是电力电子领域最具挑战性的技术,它可以开发出功率密度更高、导通电阻更小、开关频率极高的器件。01.氮化镓初识氮化镓这种半导体材料的宽带隙可产生高临界电场,与具有相同额定电压的硅基器件相比,
GPT氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数,极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适
港股公告精选|中国神华一季度煤炭销量同比下滑约15% 英诺赛科发布1200V氮化镓产品
TensorFlow01垂直型GaN-on-GaN优势作为第三代半导体的翘楚,大量厂商力图在GaN上实现技术突破以抢占市场先机,为了让功率 GaN 达到更高的击穿电压(>1200V),部分技术创新已经登上舞台,例如垂直 GaN-on-GaN,以及通过使用电隔离衬底实现更多单片集成。首先是垂直型 Ga